SiC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) es un tipo de MOSFET de potencia que utiliza carburo de silicio como material semiconductor.Los MOSFET de SiC están diseñados para aplicaciones de electrónica de potencia de alto rendimiento y ofrecen varias ventajas sobre los MOSFET tradicionales basados ​​en silicio.Son especialmente adecuados para entornos de alta tensión, alta temperatura y alta frecuencia.